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Référence Digi-Key SI7322DN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 50 664
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7322DN-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
Description étendue N-Channel 100V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7322DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1576 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 750 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 52 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 58 mOhms à 5,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7322DN-T1-GE3CT

03:19:57 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,21000 1,21
10 1,08700 10,87
25 1,03120 25,78
100 0,84710 84,71
250 0,79184 197,96
500 0,69978 349,89
1 000 0,55245 552,45

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7322DN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 48 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,50060
  • Digi-Reel® ? : SI7322DN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 50 664 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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