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Référence Digi-Key SI7309DN-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 3 267
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7309DN-T1-E3

Description MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
Description étendue P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7309DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 600pF à 30V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,2 W (Ta), 19,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 115 mOhms à 3,9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7309DN-T1-E3CT

07:34:22 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,98000 0,98
10 0,87500 8,75
25 0,83040 20,76
100 0,68210 68,21
250 0,63764 159,41
500 0,56350 281,75
1 000 0,44487 444,87

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7309DN-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,40312
  • Digi-Reel® ? : SI7309DN-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 267 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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