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Référence Digi-Key SI7172DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 3 105
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7172DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 200V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7172DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 77 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2250 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5,4 W (Ta), 96 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 5,9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7172DP-T1-GE3CT

02:36:34 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,59000 2,59
10 2,31900 23,19
25 2,18760 54,69
100 1,86380 186,38
250 1,75012 437,53
500 1,53136 765,68
1 000 1,26885 1 268,85

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7172DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,14693
  • Digi-Reel® ? : SI7172DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 105 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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