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Référence Digi-Key SI7143DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 11 915
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7143DP-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Description étendue P-Channel 30V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7143DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 71nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2230pF à 15V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 4,2W (Ta), 35,7W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10 mOhms à 16,1A, 10V
Température d’utilisation -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7143DP-T1-GE3CT

21:07:25 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,31000 1,31
10 1,16600 11,66
25 1,10720 27,68
100 0,90950 90,95
250 0,85020 212,55
500 0,75134 375,67
1 000 0,59316 593,16

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7143DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,53749
  • Digi-Reel® ? : SI7143DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 11 915 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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