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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI7123DN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 29 995
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7123DN-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7123DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,2A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,6 mOhms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 90nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3729pF à 10V
Puissance max. 1,5W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier PowerPAK® 1212-8
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7123DN-T1-GE3CT

14:09:18 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,90000 0,90
10 0,80300 8,03
25 0,76160 19,04
100 0,62560 62,56
250 0,58480 146,20
500 0,51678 258,39
1 000 0,40799 407,99

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7123DN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 27 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,36970
  • Digi-Reel® ? : SI7123DN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 29 995 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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