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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI7119DN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 8 995
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7119DN-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Description étendue P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7119DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 666 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,05 Ohms à 1 A, 10 V
Température d’utilisation -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7119DN-T1-GE3CT

14:28:29 3/1/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,93000 0,93
10 0,83200 8,32
25 0,78960 19,74
100 0,64850 64,85
250 0,60624 151,56
500 0,53576 267,88
1 000 0,42296 422,96

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7119DN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,38326
  • Digi-Reel® ? : SI7119DN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 8 995 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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