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Référence Digi-Key SI7117DN-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 10 137
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7117DN-T1-E3

Description MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
Description étendue P-Channel 150V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7117DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 510 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,2 W (Ta), 12,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7117DN-T1-E3CT

05:51:18 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,01000 1,01
10 0,90100 9,01
25 0,85480 21,37
100 0,70210 70,21
250 0,65632 164,08
500 0,58000 290,00
1 000 0,45789 457,89

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7117DN-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,41492
  • Digi-Reel® ? : SI7117DN-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 10 137 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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