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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI7116DN-T1-E3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SI7116DN-T1-E3

Description MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
Description étendue N-Channel 40V 10.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si7116DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Page de catalogue 1576 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,5 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7,8 mOhms à 16,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Colis standard ? 1
Autres Noms SI7116DN-T1-E3CT

19:28:49 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,98000 1,98
10 1,78000 17,80
25 1,67960 41,99
100 1,43090 143,09
250 1,34352 335,88
500 1,17560 587,80
1 000 0,97408 974,08

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7116DN-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,88048
  • Digi-Reel® ? : SI7116DN-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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