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Référence Digi-Key SI5517DU-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 9 905
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI5517DU-T1-GE3

Description MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Description étendue Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5517DU
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canaux N et P
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 39 mOhms à 4,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16nC à 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520pF à 10V
Puissance max. 8,3 W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier PowerPAK® ChipFET™ double
Boîtier fournisseur PowerPAK® ChipFet double
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5517DU-T1-GE3CT

17:28:23 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,11000 1,11
10 0,99100 9,91
25 0,94080 23,52
100 0,77310 77,31
250 0,72264 180,66
500 0,63864 319,32
1 000 0,50418 504,18

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5517DU-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,45686
  • Digi-Reel® ? : SI5517DU-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 905 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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