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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI5515CDC-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 20 502
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI5515CDC-T1-GE3

Description MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Description étendue Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5515CDC
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canaux N et P
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 36 mOhms à 6 A, 4,5 V
Vgs(th) (max.) à Id 800 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11,3 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 632 pF à 10 V
Puissance max. 3,1 W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-SMD, conducteur plat
Boîtier fournisseur 1206-8 ChipFET™
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5515CDC-T1-GE3CT

16:17:44 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,70700 7,07
25 0,66440 16,61
100 0,54240 54,24
250 0,50384 125,96
500 0,42880 214,40
1 000 0,34303 343,03

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 18 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,30182
  • Digi-Reel® ? : SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 20 502 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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