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Référence Digi-Key SI5476DU-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 5 579
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI5476DU-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
Description étendue N-Channel 60V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5476DU
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100pF à 30V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1 W (Ta), 31 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 34 mOhms à 4,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-PowerPak® ChipFet
Boîtier 8-PowerPak® ChipFET™
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5476DU-T1-GE3CT

19:09:23 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,24000 1,24
10 1,10900 11,09
25 1,05200 26,30
100 0,86400 86,40
250 0,80768 201,92
500 0,71376 356,88
1 000 0,56350 563,50

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5476DU-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,51061
  • Digi-Reel® ? : SI5476DU-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 579 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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