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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 7 052
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI5475DDC-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5475DDC
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 32 mOhms à 5,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 50nC à 8V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1600pF à 6V
Puissance max. 5,7W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-SMD, conducteur plat
Boîtier fournisseur 1206-8 ChipFET™
 
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  • Prix unitaire 1,05000
  • CP-037AH-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5475DDC-T1-GE3CT

00:07:46 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,61000 0,61
10 0,53900 5,39
25 0,50600 12,65
100 0,41290 41,29
250 0,38352 95,88
500 0,32638 163,19
1 000 0,26111 261,11

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5475DDC-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,22974
  • Digi-Reel® ? : SI5475DDC-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 052 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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