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Référence Digi-Key SI5419DU-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 6 065
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI5419DU-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Description étendue P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5419DU
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF à 15 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1 W (Ta), 31 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20 mOhms à 6,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-PowerPak® ChipFet
Boîtier 8-PowerPak® ChipFET™
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5419DU-T1-GE3CT

20:27:31 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,57000 0,57
10 0,48600 4,86
25 0,45440 11,36
100 0,36350 36,35
250 0,33752 84,38
500 0,28560 142,80
1 000 0,22069 220,69

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5419DU-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,19536
  • Digi-Reel® ? : SI5419DU-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 6 065 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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