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Référence Digi-Key SI5419DU-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 10 387
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Fabricant

Référence fabricant

SI5419DU-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Description étendue P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5419DU
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1400pF à 15V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1W (Ta), 31W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20 mOhms à 6,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-PowerPak® ChipFet
Boîtier 8-PowerPak® ChipFET™
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5419DU-T1-GE3CT

07:25:22 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,59000 0,59
10 0,50000 5,00
25 0,46720 11,68
100 0,37370 37,37
250 0,34700 86,75
500 0,29362 146,81
1 000 0,22689 226,89

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5419DU-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,20084
  • Digi-Reel® ? : SI5419DU-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 10 387 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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