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Référence Digi-Key SI5404BDC-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 6 878
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI5404BDC-T1-E3

Description MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Description étendue N-Channel 20V 5.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5404BDC
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1576 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 28 mOhms à 5,4 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 1206-8 ChipFET™
Boîtier 8-SMD, conducteur plat
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5404BDC-T1-E3CT

03:04:59 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,59000 0,59
10 0,51400 5,14
25 0,48280 12,07
100 0,39420 39,42
250 0,36608 91,52
500 0,31156 155,78
1 000 0,24925 249,25

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5404BDC-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,21930
  • Digi-Reel® ? : SI5404BDC-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 6 878 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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