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Référence Digi-Key SI4866DY-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 2 257
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4866DY-T1-E3

Description MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 12V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4866DY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 600mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,6W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 17A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4866DY-T1-E3CT

04:56:46 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,07000 2,07
10 1,86000 18,60
25 1,75480 43,87
100 1,49510 149,51
250 1,40380 350,95
500 1,22834 614,17
1 000 1,01776 1 017,76

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4866DY-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,91997
  • Digi-Reel® ? : SI4866DY-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 257 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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