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Référence Digi-Key SI4866BDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 1 069
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4866BDY-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 12V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4866BDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5020 pF à 6 V
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 4,45 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,3 mOhms à 12 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4866BDY-T1-GE3CT

03:28:35 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,03000 1,03
10 0,91600 9,16
25 0,86960 21,74
100 0,71440 71,44
250 0,66780 166,95
500 0,59014 295,07
1 000 0,46590 465,90

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4866BDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,42217
  • Digi-Reel® ? : SI4866BDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 069 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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