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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI4842BDY-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 391
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4842BDY-T1-E3

Description MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 30V 28A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4842BDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 100nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3650pF à 15V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 6,25W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,2 mOhms à 20A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4842BDY-T1-E3CT

07:38:58 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,33000 2,33
10 2,09600 20,96
25 1,97720 49,43
100 1,68450 168,45
250 1,58176 395,44
500 1,38404 692,02
1 000 1,14677 1 146,77

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4842BDY-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,03658
  • Digi-Reel® ? : SI4842BDY-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 391 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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