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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI4490DY-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 1 172
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4490DY-T1-E3

Description MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 200V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4490DY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1578 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,85 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,56 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 80 mOhms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4490DY-T1-E3CT

02:44:46 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,59000 1,59
10 1,42500 14,25
25 1,34520 33,63
100 1,14600 114,60
250 1,07608 269,02
500 0,94156 470,78
1 000 0,78015 780,15

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4490DY-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,70519
  • Digi-Reel® ? : SI4490DY-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 172 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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