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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI4487DY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 6 947
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4487DY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 30V 11.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4487DY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1075 pF à 15 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20,5 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4487DY-T1-GE3CT

10:32:54 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,76000 0,76
10 0,67400 6,74
25 0,63280 15,82
100 0,51660 51,66
250 0,47984 119,96
500 0,40838 204,19
1 000 0,32670 326,70

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4487DY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,28745
  • Digi-Reel® ? : SI4487DY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 6 947 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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