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Référence Digi-Key SI4483ADY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 4 227
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4483ADY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 30V 19.2A (Tc) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4483ADY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,6 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3900 pF à 15 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,9 W (Ta), 5,9 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,8 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4483ADY-T1-GE3CT

22:57:02 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,18000 1,18
10 1,05400 10,54
25 1,00080 25,02
100 0,82180 82,18
250 0,76828 192,07
500 0,67892 339,46
1 000 0,53599 535,99

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4483ADY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 2 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,48569
  • Digi-Reel® ? : SI4483ADY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 227 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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