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Référence Digi-Key SI4436DY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 6 785
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4436DY-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 60V 8A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si4436DY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1578 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF à 30 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 36 mOhms à 4,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4436DY-T1-GE3CT

09:44:01 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,86000 0,86
10 0,76600 7,66
25 0,72720 18,18
100 0,59710 59,71
250 0,55820 139,55
500 0,49332 246,66
1 000 0,38945 389,45

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4436DY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,35290
  • Digi-Reel® ? : SI4436DY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 6 785 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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