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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI4435DDY-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 1 500
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4435DDY-T1-E3

Description MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
Description étendue P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si4435DDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 9,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4435DDY-T1-E3CT

16:34:24 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,70000 0,70
10 0,62000 6,20
25 0,58240 14,56
100 0,47520 47,52
250 0,44140 110,35
500 0,37566 187,83
1 000 0,30053 300,53

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4435DDY-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,26442
  • Digi-Reel® ? : SI4435DDY-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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