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Référence Digi-Key SI4403CDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 2 690
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4403CDY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
Description étendue P-Channel 20V 13.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SOIC(N):8 Package Drawing
SI4403CDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90 nC à 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2380 pF à 10 V
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15,5 mOhms à 9 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4403CDY-T1-GE3CT

03:27:35 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,72000 0,72
10 0,63500 6,35
25 0,59640 14,91
100 0,48660 48,66
250 0,45196 112,99
500 0,38464 192,32
1 000 0,30771 307,71

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4403CDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 2 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,27074
  • Digi-Reel® ? : SI4403CDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 690 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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