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Référence Digi-Key SI4090DY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 1 322
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4090DY-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
Description étendue N-Channel 100V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si4090DY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,7A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2410pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,5 W (Ta), 7,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10 mOhms à 15A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4090DY-T1-GE3CT

02:31:29 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,40000 1,40
10 1,25400 12,54
25 1,19000 29,75
100 0,97770 97,77
250 0,91396 228,49
500 0,80770 403,85
1 000 0,63764 637,64

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4090DY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,57780
  • Digi-Reel® ? : SI4090DY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 322 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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