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Référence Digi-Key SI3499DV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 5 495
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3499DV-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Description étendue P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3499DV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 750 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±5 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 7 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3499DV-T1-GE3CT

12:28:09 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,98000 0,98
10 0,87300 8,73
25 0,82880 20,72
100 0,68100 68,10
250 0,63656 159,14
500 0,56252 281,26
1 000 0,44410 444,10

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3499DV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,40243
  • Digi-Reel® ? : SI3499DV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 495 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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