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Référence Digi-Key SI3493BDV-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 11 274
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3493BDV-T1-E3

Description MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Description étendue P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3493BDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1581 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43,5nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1805pF à 10V
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,08 W (Ta), 2,97 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 27,5 mOhms à 7A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3493BDV-T1-E3CT

22:56:04 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,64000 0,64
10 0,56400 5,64
25 0,53000 13,25
100 0,43270 43,27
250 0,40192 100,48
500 0,34206 171,03
1 000 0,27364 273,64

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3493BDV-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,24077
  • Digi-Reel® ? : SI3493BDV-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 11 274 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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