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Référence Digi-Key SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 647 948
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3483CDV-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Description étendue P-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3483CDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2 W (Ta), 4,2 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 34 mOhms à 6,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3483CDV-T1-GE3CT

04:20:59 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,85000 0,85
10 0,76700 7,67
25 0,72800 18,20
100 0,59800 59,80
250 0,55900 139,75
500 0,49400 247,00
1 000 0,39001 390,01

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3483CDV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 642 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,35340
  • Digi-Reel® ? : SI3483CDV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 647 948 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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