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Référence Digi-Key SI3474DV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 7 769
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3474DV-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
Description étendue N-Channel 100V 3.8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3474DV Spice Model
Si3474DV Datasheet
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 10,4nC @ 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 196pF à 50V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,6W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 126 mOhm à 2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3474DV-T1-GE3CT

17:29:35 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,41000 0,41
10 0,35500 3,55
25 0,33160 8,29
100 0,26550 26,55
250 0,24652 61,63
500 0,20858 104,29
1 000 0,16118 161,18

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3474DV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,14267
  • Digi-Reel® ? : SI3474DV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 769 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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