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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 16 877
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3473CDV-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Description étendue P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3473CDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC à 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2010 pF à 6 V
Vgs (max.) ±8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2 W (Ta), 4,2 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 22 mOhms à 8,1 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3473CDV-T1-GE3CT

19:18:16 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,65000 0,65
10 0,57100 5,71
25 0,53680 13,42
100 0,43800 43,80
250 0,40676 101,69
500 0,34618 173,09
1 000 0,27694 276,94

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3473CDV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 15 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,24367
  • Digi-Reel® ? : SI3473CDV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 16 877 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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