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Référence Digi-Key SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 21 471
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3458BDV-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
Description étendue N-Channel 60V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3458BDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 30V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3,3W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 3,2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3458BDV-T1-GE3CT

21:05:32 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,85000 0,85
10 0,75100 7,51
25 0,70480 17,62
100 0,57530 57,53
250 0,53432 133,58
500 0,45476 227,38
1 000 0,36380 363,80

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3458BDV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 21 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,32009
  • Digi-Reel® ? : SI3458BDV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 21 471 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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