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Référence Digi-Key SI3443BDV-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 11 565
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3443BDV-T1-E3

Description MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
Description étendue P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3443BDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1581 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,6A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 4,7A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3443BDV-T1-E3CT

00:14:28 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,52000 0,52
10 0,44200 4,42
25 0,41160 10,29
100 0,32940 32,94
250 0,30588 76,47
500 0,25882 129,41
1 000 0,19999 199,99

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3443BDV-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,17704
  • Digi-Reel® ? : SI3443BDV-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 11 565 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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