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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI3440DV-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 26
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3440DV-T1-E3

Description MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
Description étendue N-Channel 150V 1.2A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3440DV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,14 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 375 mOhms à 1,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3440DV-T1-E3CT

16:32:17 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,17000 1,17
10 1,04700 10,47
25 0,99360 24,84
100 0,81630 81,63
250 0,76304 190,76
500 0,67432 337,16
1 000 0,53236 532,36

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3440DV-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,48240
  • Digi-Reel® ? : SI3440DV-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 26 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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