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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 16 661
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3433CDV-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Description étendue P-Channel 20V 6A (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3433CDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC à 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF à 10 V
Vgs (max.) ±8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,6 W (Ta), 3,3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 38 mOhms à 5,2 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3433CDV-T1-GE3CT

09:16:50 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,42000 0,42
10 0,36700 3,67
25 0,34280 8,57
100 0,27440 27,44
250 0,25484 63,71
500 0,21562 107,81
1 000 0,16662 166,62

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3433CDV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 15 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,14749
  • Digi-Reel® ? : SI3433CDV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 16 661 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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