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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI3410DV-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 8 913
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI3410DV-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Description étendue N-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI3410DV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1295 pF à 15 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2 W (Ta), 4,1 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 19,5 mOhms à 5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3410DV-T1-GE3CT

08:21:36 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,76000 0,76
10 0,66700 6,67
25 0,62600 15,65
100 0,51090 51,09
250 0,47456 118,64
500 0,40388 201,94
1 000 0,32310 323,10

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3410DV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,28428
  • Digi-Reel® ? : SI3410DV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 8 913 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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