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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 423
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2392ADS-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Description étendue N-Channel 100V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2392ADS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10,4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 196pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,25 W (Ta), 2,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 126 mOhm à 2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2392ADS-T1-GE3CT

19:18:11 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,51000 0,51
10 0,43600 4,36
25 0,40640 10,16
100 0,32530 32,53
250 0,30204 75,51
500 0,25556 127,78
1 000 0,19748 197,48

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2392ADS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,17481
  • Digi-Reel® ? : SI2392ADS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 423 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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