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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI2377EDS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 26 644
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2377EDS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
Description étendue P-Channel 20V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2377EDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 21nC à 8V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,25W (Ta), 1,8W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 61 mOhms à 3,2A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2377EDS-T1-GE3CT

15:23:18 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,41000 0,41
10 0,35200 3,52
25 0,32880 8,22
100 0,26300 26,30
250 0,24416 61,04
500 0,20662 103,31
1 000 0,15966 159,66

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2377EDS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 24 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,14133
  • Digi-Reel® ? : SI2377EDS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 26 644 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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