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Référence Digi-Key SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 67 256
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2365EDS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Description étendue P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2365EDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36nC à 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta), 1,7 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 32 mOhms à 4A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-236
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2365EDS-T1-GE3CT

14:27:20 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,37000 0,37
10 0,28500 2,85
25 0,25680 6,42
100 0,17750 17,75
250 0,14948 37,37
500 0,12146 60,73
1 000 0,09343 93,43

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 66 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,08163
  • Digi-Reel® ? : SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 67 256 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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