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Référence Digi-Key SI2347DS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 22 511
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2347DS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
Description étendue P-Channel 30V 5A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2347DS-T1-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 705 pF à 15 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,7 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 42 mOhms à 3,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2347DS-T1-GE3CT

07:19:27 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,39000 0,39
10 0,29300 2,93
25 0,26440 6,61
100 0,18270 18,27
250 0,15384 38,46
500 0,12500 62,50
1 000 0,09616 96,16

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2347DS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 21 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,08402
  • Digi-Reel® ? : SI2347DS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 22 511 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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