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Référence Digi-Key SI2342DS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 9 707
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2342DS-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Description étendue N-Channel 8V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2342DS-T1-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 800 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15,8 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1070 pF à 4 V
Vgs (max.) ±5 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17 mOhms à 7,2 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2342DS-T1-GE3CT

16:41:10 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,49000 0,49
10 0,42100 4,21
25 0,39320 9,83
100 0,31440 31,44
250 0,29200 73,00
500 0,24706 123,53
1 000 0,19091 190,91

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2342DS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,16900
  • Digi-Reel® ? : SI2342DS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 707 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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