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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI2337DS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 2 544
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2337DS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Description étendue P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2337DS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 17nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 500pF à 40V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 760mW (Ta), 2,5W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 1,2A, 10V
Température d’utilisation -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2337DS-T1-GE3CT

22:56:34 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,95000 0,95
10 0,84600 8,46
25 0,80280 20,07
100 0,65940 65,94
250 0,61640 154,10
500 0,54472 272,36
1 000 0,43004 430,04

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2337DS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,38968
  • Digi-Reel® ? : SI2337DS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 544 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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