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Référence Digi-Key SI2323DS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 11 876
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2323DS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Description étendue P-Channel 20V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si2323DS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 19nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1020pF à 10V
Vgs (Max) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 39 mOhms à 4,7A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2323DS-T1-GE3CT

00:10:46 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,58000 0,58
10 0,48900 4,89
25 0,45680 11,42
100 0,36540 36,54
250 0,33928 84,82
500 0,28710 143,55
1 000 0,22184 221,84

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2323DS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,19638
  • Digi-Reel® ? : SI2323DS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 11 876 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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