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Référence Digi-Key SI2323DS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 9 679
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2323DS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Description étendue P-Channel 20V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si2323DS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1020 pF à 10 V
Vgs (max.) ±8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 750 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 39 mOhms à 4,7 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2323DS-T1-GE3CT

19:07:34 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,56000 0,56
10 0,47600 4,76
25 0,44440 11,11
100 0,35540 35,54
250 0,33000 82,50
500 0,27926 139,63
1 000 0,21578 215,78

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2323DS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,19101
  • Digi-Reel® ? : SI2323DS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 679 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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