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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI2308BDS-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 327
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2308BDS-T1-E3

Description MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Description étendue N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2308BDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,8 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 190 pF à 30 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,09 W (Ta), 1,66 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 156 mOhms à 1,9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2308BDS-T1-E3CT

00:35:16 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,42000 0,42
10 0,36700 3,67
25 0,34280 8,57
100 0,27440 27,44
250 0,25484 63,71
500 0,21562 107,81
1 000 0,16662 166,62

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2308BDS-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,14749
  • Digi-Reel® ? : SI2308BDS-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 327 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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