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Référence Digi-Key SI2307CDS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 16 057
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2307CDS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Description étendue P-Channel 30V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2307CDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 6,2nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 340pF à 15V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,1W (Ta), 1,8W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 88 mOhms à 3,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2307CDS-T1-GE3CT

11:33:36 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,48000 0,48
10 0,38600 3,86
25 0,35280 8,82
100 0,26260 26,26
250 0,23796 59,49
500 0,19694 98,47
1 000 0,14769 147,69

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2307CDS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 15 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,13144
  • Digi-Reel® ? : SI2307CDS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 16 057 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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