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Référence Digi-Key SI2306BDS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 8 377
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2306BDS-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Description étendue N-Channel 30V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si2306BDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,16 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4,5nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 305pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 750 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 47 mOhms à 3,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2306BDS-T1-GE3CT

19:32:02 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,57000 0,57
10 0,48200 4,82
25 0,45000 11,25
100 0,35980 35,98
250 0,33416 83,54
500 0,28274 141,37
1 000 0,21848 218,48

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2306BDS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,19340
  • Digi-Reel® ? : SI2306BDS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 8 377 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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