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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI2303CDS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 5 930
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2303CDS-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2303CDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,7A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 155pF à 15V
Puissance max. 2,3W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2303CDS-T1-GE3CT

10:38:01 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,39000 0,39
10 0,31500 3,15
25 0,28840 7,21
100 0,21450 21,45
250 0,19440 48,60
500 0,16086 80,43
1 000 0,12065 120,65

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2303CDS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,10737
  • Digi-Reel® ? : SI2303CDS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 930 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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