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Référence Digi-Key SI2302CDS-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 123 830
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2302CDS-T1-E3

Description MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
Description étendue N-Channel 20V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2302CDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 850mV à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 5,5nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 710mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 57 mOhms à 3,6A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2302CDS-T1-E3CT

05:23:09 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,38000 0,38
10 0,29000 2,90
25 0,26120 6,53
100 0,18030 18,03
250 0,15184 37,96
500 0,12338 61,69
1 000 0,09491 94,91

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2302CDS-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 123 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,08293
  • Digi-Reel® ? : SI2302CDS-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 123 830 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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