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Référence Digi-Key SI1427EDH-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 30 594
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1427EDH-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Description étendue P-Channel 20V 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si1427EDH
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC à 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,56 W (Ta), 2,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 64 mOhms à 3 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1427EDH-T1-GE3CT

16:48:25 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,39000 0,39
10 0,31600 3,16
25 0,28960 7,24
100 0,21540 21,54
250 0,19520 48,80
500 0,16156 80,78
1 000 0,12116 121,16

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1427EDH-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 30 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,10783
  • Digi-Reel® ? : SI1427EDH-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 30 594 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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