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Référence Digi-Key SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 10 717
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1416EDH-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Description étendue N-Channel 30V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1416EDH
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 58 mOhms à 3,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-363
Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1416EDH-T1-GE3CT

13:40:31 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,44000 0,44
10 0,35800 3,58
25 0,32760 8,19
100 0,24360 24,36
250 0,22076 55,19
500 0,18268 91,34
1 000 0,13702 137,02

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1416EDH-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,12194
  • Digi-Reel® ? : SI1416EDH-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 10 717 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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