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Référence Digi-Key SI1414DH-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 6 600
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1414DH-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Description étendue N-Channel 30V 4A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1414DH-T1-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15nC à 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 560pF à 15V
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 46 mOhms à 4A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-363
Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1414DH-T1-GE3CT

12:11:44 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,49000 0,49
10 0,39400 3,94
25 0,36120 9,03
100 0,26890 26,89
250 0,24368 60,92
500 0,20168 100,84
1 000 0,15125 151,25

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1414DH-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,13461
  • Digi-Reel® ? : SI1414DH-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 6 600 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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