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Référence Digi-Key SI1302DL-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 34 514
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1302DL-T1-E3

Description MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
Description étendue N-Channel 30V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1302DL
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1577 (FR2011-FR PDF)
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 1,4nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 280mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 480 mOhms à 600mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-70-3
Boîtier SC-70, SOT-323
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1302DL-T1-E3CT

05:11:02 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,48000 0,48
10 0,38600 3,86
25 0,35280 8,82
100 0,26260 26,26
250 0,23796 59,49
500 0,19694 98,47
1 000 0,14769 147,69

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1302DL-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 33 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,13144
  • Digi-Reel® ? : SI1302DL-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 34 514 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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